模拟电子技术难还是数字电子技术难很多学长学姐说法不一怎么回事

2025-02-08 14:46:56

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回答1：

模拟电子技术以放大器为主要模块。放大器有工作点等十项技术参数指标。书是第一位的老师。有问题，先问活的老师。活的老师答不上来，就得翻书，求教书这个无言的老师。翻遍了，书这个无言的老师仍然没有答案，读者就彻底郁闷。
先看看传统模拟电子学教科书对放大器十项指标叙述的缺陷。
⑴工作点
工作点要适中。而工作点适中的标志就是基极偏置电阻大小适中。基极偏置电阻大小适中的标志就是随着信号电压幅度增加，放大器输出不出现单边削平失真。但是纵观模拟电子技术教科书摆出的放大器，随着信号电压幅度增加，放大器输出不是出现单边截止削平失真，就是出现单边饱和削平失真。
一种流行观点是偏置电阻取偏大一些，以利于减少静态功耗，实际上基极偏置电阻取偏小一些的大有人在。所以说放大器基极偏置电阻的设计实际还处于战国时代。
⑵最大不失真输出电压摆幅(输出范围)
无论出现单边截止削平失真，还是出现单边饱和削平失真，放大器最大不失真输出电压摆幅都不能达到最大，放大器就不是最好的。
目前关于工作点及输出范围的分析计算，最流行的就是基于晶体管输出特性曲线族的图解法。无数的模电教科书都用这个图解法，横着画、竖着画、斜着画，尽管使尽浑身解数，输出范围还是不见踪影。
清华大学《模拟电子技术基础》第4版第140页图P2.5基极偏置电阻Rb=510kΩ，偏小，随着信号幅度增大，放大器输出将出现单边饱和削平失真，输出范围只能达到应有最大值的65%。
华中科大《电子技术基础(模拟部分)》第5版第189页图题4.3.9基极偏置电阻Rb=300kΩ，偏小，随着信号幅度增大，放大器输出将出现单边饱和削平失真，输出范围只能达到应有最大值的67%。
⑶工作点稳定性
晶体管β值有一个温度系数θ值。基本共射放大器，晶体管β值变化多少，工作点就跟着变化多少，就是没有工作点稳定性。工作点稳定性本来应当以θ值的百分比来表达。但是目前工作点稳定性却是以电流比或者电阻比等经验数据表达的，设计更是落后的经验方法。
⑷放大器输入电阻
输入电阻计算方法比较齐备。放大器输入电阻肯定与晶体管输入电阻有关。由于工作点不统一，影响到晶体管输入电阻的数值不一致，进而影响到放大器输入电阻数值的不统一。所以说放大器输入电阻的计算实际并没有统一。
⑸放大器输出电阻
输出电阻计算方法也比较齐备。共集放大器及共漏放大器输出电阻与晶体管输入电阻有关。由于工作点不统一，影响到晶体管输出电阻的数值不完全一致，进而影响到放大器输出电阻数值的不统一。所以说放大器输出电阻的计算实际也没有完全统一。
⑹电压、电流、功率三大放大倍数
一般放大器都有电压、电流、功率三大放大倍数。目前首要问题是，电压放大倍数谈得较多，电流放大倍数及功率放大倍数提得较少。
即使谈得较多的电压放大倍数，也并非比较完善，而是问题多多。
大家已经逐渐都认识到，放大器电压放大倍数实际上应该分为源电压放大倍数与自身电压放大倍数。目前的问题是，自身电压放大倍数分析计算方法比较多，但源电压放大倍数提得较少。众所周知，共基放大器比共射放大器频带较宽。实际上，共射放大器自身电压放大倍数A=-βR’L/rbe，共基放大器自身电压放大倍数A=βR’L/rbe，两者只差一个符号。自身电压放大倍数只差一个符号，怎么能说明共基放大器比共射放大器频带较宽呢？这使人很郁闷。
谈得较多的电压放大倍数尚且如此，提得较少的电流放大倍数及功率放大倍数缺陷更多。例如，目前讨论功率放大器时，就很少提及功率放大倍数。讨论功率放大器时不提功率放大倍数，更使人郁闷。
⑺频率特性
共射放大器自身电压放大倍数与共基放大器只差一个符号，不能很好滴说明共基放大器频带究竟如何较宽，已经说明放大器频率特性分析计算并不完善。
再看看，目前放大器下限频率计算，只讨论了两个时间常数差别很大的特殊情况。两个时间常数相等或差别不大的最有价值的最一般情况，反倒被冷落在一边。
⑻非线性失真
放大器非线性失真，有测量方法及标准，但是非线性失真究竟什么样，如何分类，有哪些因素能抑制非线性失真，除了负反馈之外，目前讨论很少。
⑼负载最大功率
除了乙类功放之外，放大器负载最大功率讨论很少。
⑽放大器效率
除了乙类功放之外，放大器效率讨论也很少。于是出现这样的怪事，只是说乙类及甲乙类功放效率比较高，究竟高多少，因为没有基准可比较，又是一个天方夜谭一样的未知数。
再看看传统模拟电子学教科书其它严重缺陷
放大器十大技术参数指标叙述缺陷如此之多，说明传统模拟电子学存在的问题不是个别的，而是系统性的，并且隐含着其它缺陷。
例如，少子漂移与多子扩散平衡论很流行，并且声称能用少子漂移与多子扩散平衡论解决自由pn结内电场势垒计算，但是传统模电书都是空白。自由pn结内电场势垒计算没有结论的事实，清华大学《模拟电子技术基础》第4版第13页上可见，华中科大《电子技术基础(模拟部分)》第5版第63页上可见。
传统模电书还主观地认为，导通pn结仍然残留内电场，但残留内电场究竟多大，又留下一个千古之谜。
还有，清华大学《模拟电子技术基础》从第3版开始，连续出现很多错误。如，7895扩流电路PNP管颠倒为NPN管并且接入位置从输入端跑到输出端的错误。还如，双T网络振荡器频率计算误差竟然高达30%。
俗话说，老师给学生一桶水，自己至少要有两桶水。书是第一位的老师。看看传统模拟电子技术教科书，它要给学生一桶水，自己却只有半桶水都不到。很多基础理论和方法上有这么多空白，模拟电子技术能不难吗？
反观数字电子技术，就是用晶体管的截止和饱和，表示二进制0和1。1、0、1，比走步1、2、1还要简单。所以一般人都认为数字电子技术比较容易。
但是任何事物都不是绝对的。数字电子技术中就那个可控RS触发器组成的基本计数器的空翻，就像孙悟空翻跟头一样能把很多人搞得神神兮兮。还有触发器设计，RS触发器、JK触发器、D触发器、T触发器还好说，又来了一个啥T’ 触发器，多那一撇，又把很多人折腾得够呛。
模拟电子技术、数字电子技术，这么多千差万别，每个人的大脑细胞思维方式又不尽相同，所以公说公有理婆说婆有理，就很自然了。
不过无论如何，楼主等很多人都意识到电子技术教科书问题的严重性。大刀阔斧地改进教科书，尤其是模拟电子技术教科书，是迫在眉睫刻不容缓的事情。

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