通常，只要考虑回路的寄生电感，数量级是几个到几百个纳亨（nH）。
只有在频率超高的情况下，才会考虑器件内部的寄生电感，这个电感主要是DS之间的，详细的器件DATASHEET会给出这个值，该值一般不超过20nH。
这个电路中的100k电阻主要是两个目的：一是避免DG之间的米勒电容将D点的电压波动感应到G点，造成MOS误触发；第二是给G一个对地电位参考，释放GS之间的结电容电荷，提高MOS的抗干扰能力。
应该说，在你给出的电路中，100k电阻与杂散电感关系不是很大。
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