SRAM和DRAM依靠什么原理存储信息？

此二者为动态记忆体是挥发性记忆体，也就是会资料随著电源关闭而消失，不会保存下来。
可视为一种暂存功能。

此二者都是靠1(高电压表示)或0(低电压表示)来表示资料数据

并采用「行、列」方式来定址储存资料

但因DRAM是利用电容储存电荷，因电容的特性，其电荷会随时间而下降，所以需要不停的reflash，来表示0或1，以维持资料的正确性。

总结：
二者相同处：采用「行、列」方式来定址储存资料，依靠电荷0/1来表达资料数据。

二者异：
>DRAM
-由电容器组成-须定时重覆充电更新
-容量可以很大、密度高-一般都是做为系统的主记忆体
-速度较慢、价钱较便宜

► SRAM
-由正反器组成-不须定时重覆充电更新
-容量无法做大、密度低一般做为快取记忆体或BUFFER
-速度较快、价钱较贵

SRAM:同步随机存储器 （一般用于嵌入式处理器的内存）S:synchronous
DRAM:动态随机存储器（很少用了） D：dynamic
SDRAM：同步动态随机存储器（很早的内存）
DDR SDRAM (双沿触发SDRAM,表示一个时钟周期触发两次)
DDR2 SDRAM (现在的主流，比第一代增加内部倍频，这个很少人知道)
DDR3 SDRAM （第三代DDR，进一步增加了内部倍频，改善了寻址方式）

晕，怎么是0分，才注意到

存储数据基本原理无外乎都是利用电容保存的电压信息表示0.1状态，实际的东西比这个复杂多了。

SDRAM在一个时钟周期内只传输一次数据，它是在时钟的上升期进行数据传输；而DDR内存则是一个时钟周期内传输两次次数据，它能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据，因此称为双倍速率同步动态随机存储器。DDR内存可以在与SDRAM相同的总线频率下达到更高的数据传输率