内存条的主要技术指标有哪些?

2025-02-24 22:23:30

推荐回答（3个）

回答1：

一频率（越高越好），二时序（越低越好）

回答2：

你好
一般只看下接口和频率

回答3：

1　内存容量
内存容量是指存放计算机运行所需的程序和数据的多少。内存容量直接关系到计算机的整体性能，是除CPU之外能表明计算机档次等级的一个重要指标。目前，主流计算机的内存容量一般为128MB、256MB和512MB。
2　数据带宽
数据带宽是指内存一次输出/输入的数据量，是衡量内存性能的重要指标。通常情况下，PC100的SDRAM在额定频率（100MHz）下工作时，其峰值传输率可以达到800MBps；工作在133MHz的情况下，其峰值的传输率已经达到了1.06GBps，这一速度比PC100提高了200MBps。在实际应用中，其性能提高的效果是很明显的。对于DDR而言，由于在同一个时钟的上升沿和下降沿都能传输数据，所以工作在133MHz时，它的实际传输率可以达到2.1GBps。
计算内存带宽的公式也很简单：内存带宽总量（Mbytes）＝最大时钟速频率（MHz）×总线宽度（bits）×每时钟数据段数量／8。
3　ECC校验
为了防止内存中的数据发生错误，需要对字节中的数据位进行奇偶校验。奇偶校验对于保证数据的正确读写起到很关键的作用，尤其是在数据量非常大的计算中。标准型的内存条有的有校验位，有的没有；非标准的内存条均有奇偶校验位。
ECC是Error Correction Coding或Error Checking and Correcting的缩写，代表具有自动纠错功能的内存，可以纠正一位二进制数的错误。ECC内存也是在原来的数据位上外加位来实现的。当数据的位数增加一倍，Parity也增加一倍，而ECC只需增加一位，当数据为64位时所用的ECC只需增加一位，当数据为64位时所用的ECC和Parity位数相同。
4　tCK
tCK（TCLK）指系统时钟周期，表示SDRAM所能运行的最大频率。数字越小说明SDRAM芯片所能运行的频率越高。对于一片普通的PC-100 SRDAM来说，其芯片上的标识-100表示它的运行时钟周期为10ns，即可以在100MHz的外频下正常工作。大多数内存标号的尾数表示的就是tCK周期。P133标准要求tCK不大于7.5ns。
5　tAC
tAC（Access Time from CLK）是最大CAS延迟时的最大数输入时钟。PC100规范要求在CL＝3时，tAC不大于6ns。某些内存标号的位数表示这个值。目前大多数SDRAM芯片的存取时间为5、6、7、8或10ns。这不同于系统时钟周期，它们之间有着本质的区别
6　CL
CL（CAS Latency）为CAS的延迟时间，是纵向地址脉冲的反应时间，也是在一定频率下衡量支持不同规范的内存的重要标志之一。如现在大多数的SDRAM都能运行在CAS Latency＝2或3的模式下，也就是说这时它们读取数据的延迟时间可以是2个时钟周期也可以是3个时钟周期。在SDRAM的制造过程中，可以将这个特性写入SDRAM的EEPROM中，在开机时主板的BIOS就会检查此项内容，并以CL＝2这一默认模式运行。
对于PC100内存来说，就是要求当CL＝3时，tCK的数值要小于10ns，tAC要小于6ns。至于为什么强调是CL＝3的时候，这是因为对于同一个内存条当设置成不同的CL数值时，tCK的值可能是不相同的，当然tAC的值也是不太可能相同的。总延迟时间的计算公式为：总延迟时间＝系统时钟周期＋存储时间，如某PC100内存的存取时间为6ns，假设CL模式数为2即CL＝2，则总延迟时间＝10ns×2＋6ns＝26ns，这就是评价内存性能高低的重要数值。对于将PC100、PC133内存只使用在66MHz或100MHz总线下的用户，强烈建议将CL的数值设置为2，这样你的内存无疑会有更好的性能。
7　行地址控制器（CAS）
行地址控制器（CAS）可能是最能决定内存模块对数据请求进行响应的因素之一了。通常把行地址控制器叫做CAS延迟，一般来说，在SDR SDRAM中，可以设定为2或者3（当然是根据自己内存的具体情况而定）。对于DDR内存来说，一般常用的设定为2或者2.5。
内存中最基本的存储单元就是柱面，而这些柱面通过行和列的排列组成了一个矩阵，每个行和列的坐标集就代表了一个惟一的地址。所以内存在存取数据的时候是根据行和列的地址集来进行数据搜索的。
8　寻址到可用（Trp）/GAS到RAS（CMD）
相对而言，Trp以及CMD时间并没有CAS时间那么重要，但是也足以影响内存的性能。一般这里的设置值为3（时钟循环），如果把这个值改小为2，就可以提升一点内存性能。
9　列地址控制器（RAS）/其他延迟
内存本身就是一个非常复杂的零部件，可以这么说，计算机内部工作过程最复杂的就是存储器了。但是幸好这些烦琐的工作对于我们这些最终用户来说是透明的，而我们平时用来判断内存性能、质量好坏的这些参数也只是其中的一部分而已。在此必须提及RAS延迟和另外两个延迟。RAS通常为6个始终循环，但是实际上在超频中可以将它修改为5。
10　SPD（串的存在探测）
SPD是1个8针的SOIC封装256字节的EEPROM芯片。型号多为24LC01B，一般处于内存条正面的右侧，里面记录了诸如内存的速度、容量、电压与行、列地址带宽等参数信息。当开机时，计算机的BIOS将自动读取SPD中记录的信息，如果没有SPD，就容易出现死机或致命错误的现象。
11　ECC（Error Checking and Correcting）
错误检查和纠正。与奇偶校验类似，它不但能检测到错误的地方，还可以纠正绝大多数错误。它也是在原来的数据位上外加位来实现的，这些额外的位是用来重建错误数据的。只有经过内存的纠错后，计算机操作指令才可以继续执行。
12　DIMM（Dual In-line Memory Modules）
双边接触内存模组。也就是说这种类型接口内存的插板两边都有数据接口触片，这种接口模式的内存广泛应用于现在的计算机中，通常为84针。由于是双边的，共有84×2＝168线接触，所以人们常把这种内存称为168线内存。
13　SIMM （Single In-line Memory Modules）
单边接触内存模组，是5x86及其较早的PC中常采用的内存接口方式。在486以前，多采用30针的SIMM接口，而在Pentium中更多的是72针的SIMM接口，或者与DIMM接口类型并存。人们通常把72线的SIMM类型内存模组直接称为72线内存。

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