半导体或金属薄片置bai于磁场中，当有电流（与磁du场垂直zhi的薄片平面方向）流过时，在垂直于dao磁场和电流的方向上产生电动势，这种现象称为霍耳效应。常用的霍耳材料锗（Ge）、硅（Si）、锑化铟（InSb）、砷化铟（InAs）等。N型锗容易加工制造，霍耳系数、温度性能、线性度较好；P型硅的线性度最好，霍耳系数、温度性能同N型锗，但电子迁移率较低，带负载能力较差，通常不作单个霍耳元件。利用霍耳效应可制成测量电流、磁场、位移、压力、压差、转速、转角等物理量的传感器。 霍耳式曲轴位置传感器具有工作可靠、正时精度高，工作频带宽、耐高温、耐潮湿、耐油污等优点，因而被汽车生产厂商广泛采用。
现有的绝大多数方案，此类传感器中的霍尔芯片是探测磁场变化量的，而不像常见的霍尔开关是探测磁场绝对量。应用中，通过在霍尔背面安放磁铁使芯片表面预置一定大小的磁场，当曲轴转动时，铁磁性的材料（曲轴）转动引起霍尔表面磁场强度的变化，霍尔探测到此变化即输出高低电平信号。
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