决定cmos电路功耗主要因素

CMOS的动态功耗和电路的开关电流和短路电流有关。

CMOS的动态功耗分为两部分：

第一部分是开关电流产生的动态功耗；

第二部分是动态情况下P管和N管同时导通时的短路电流产生的动态功耗。

开关电流是这样产生的：在CMOS电路，当输入为“0”时，PMOS导通，电源通过 PMOS向负载电容充电；而当电路输入为“1” 时，负载电容又会通过NMOS向地放电。开关电流就是不断对负载电容充放电所产生的。

扩展资料：

由于CMOS电路在输入稳定的时候总有一个管子截止，所以它的静态功耗在理想情况下应该是零，但这并不代表静态功耗真的为零，实际上CMOS电路的静态功耗就是指电路中的漏电流(这里不考虑亚阈值电流)。

 CMOS电路功耗的主要来源是动态功耗，它由两部分组成：开关电流和短路电流。所以，整个CMOS电路的功耗如右式所示。

参考资料来源：百度百科-CMOS功耗模型

在互补金属氧化物半导体( CMOS)数字逻辑电路中，功耗为静态功耗和动态功耗之和，其中：

1、动态功耗主要取决于电源电压和工作时钟频率。动态功耗= Cv2fo萁中，C为CMOS负载电容；y为电源电压为时钟频率。

2、静态功耗主要由晶体管的偏置电流和漏电流产生。

扩展资料：

CMOS使用注意事项：

1、COMS电路时电压控制器件，它的输入总抗很大，对干扰信号的捕捉能力很强。所以，不用的管脚不要悬空，要接上拉电阻或者下拉电阻，给它一个恒定的电平。 

2、输入端接低内组的信号源时，要在输入端和信号源之间要串联限流电阻，使输入的电流限制在1mA之内。

3、当接长信号传输线时，在COMS电路端接匹配电阻。 

4、当输入端接大电容时，应该在输入端和电容间接保护电阻。电阻值为R=V0/1mA.V0是外界电容上的电压。 

5、COMS的输入电流超过1mA，就有可能烧坏COMS。

CMOS的电路功耗由泄漏功耗、短路功耗、充放电功耗三部分组成。一般认为CMOS电路的功耗主要来自电容负载的充放电。动态功耗与负载电容成线性关系，除了设法在低电压下工作外，减小电容也能使功耗降低；跳频也影响电路的动态功耗，电路内部即使含有大量电容，但如果没有开关动作，也就不消耗功率。