N沟道增强型MOS管中假设使VGS大于开启电压,漏源两极的电压VDS<VGS-开启电压,即VGD=

2024-12-03 19:24:11
推荐回答(3个)
回答1:

1、UGD=UGS-UDS,这是定义,没有什么好说的。
2、第三个式子是从第二个推导出来的。
3、整个公式其实是从实验获得,你如果仔细研究一下结型管的数据获得明白了。具体过程是这样的。
(1)首先设定UDS为0,然后慢慢增加UGS,等到UGS〉UGS(th),管子两端只要加微量电流,管子就可以导通,此时沟道形成了。
(2)当UGS为大于UGS(th)的某个特定值,然后增加UDS。当UDS(3)当UDS=UGS-UGS(th)时,就出现了预夹断,这也就是可变电阻区(饱和状态)与恒流区(放大状态)的分界线。
(4)当UDS>UGS-UGS(th),此时管子的电流就不会随着UDS变化而变化了,基本上维持恒定,只与UGS有关系,UGS越大,电流越大。
我不太喜欢用UGD表示,还是用UDS和UGS表示比较直观。
模电很多结论一方面是从半导体物理基础研究而来,也有很多是从实验结果获得的。

回答2:

倒数第二个式子是假设的条件,都数第一个式子是根据上个式子倒出来的

回答3:

这个问题确实不会