什么是双极型器件

双极型晶体管是由两个背靠背PN结构成，以获得电压、电流或信号增益的晶体三极管。

双极型晶体管是一种电流控制器件，电子和空穴同时参与导电。同场效应晶体管相比，双极型晶体管开关速度慢，输入阻抗小，功耗大。双极型晶体管体积小、重量轻、耗电少、寿命长、可靠性高，已广泛用于广播、电视、通信、雷达、计算机、自控装置、电子仪器、家用电器等领域，起放大、振荡、开关等作用。

用不同的掺杂方式在同一个硅片上制造出三个掺杂区域，并形成两个PN结，就构成了晶体管.

扩展资料：

双极型晶体管输出特性放大区的特点是：

1、IC受IB的控制，与UCE的大小几乎无关。因此三极管是一个受电流IB控制的电流源。

2、特性曲线平坦部分之间的间隔大小，反映基极电流IB对集电极电流IC控制能力的大小，间隔越大表示管子电流放大系数b越大。

3、伏安特性最低的那条线为IB=0，表示基极开路，IC很小，此时的IC就是穿透电流ICEO。

4、在放大区电流电压关系为：UCE=EC-ICRC, IC=βIB

5、放大区管子可等效为一个可变直流电阻。

参考资料：百度百科-双极型晶体管

双极型器件的电流是由两种载流子（空穴和电子）同时导电形成的，如二极管、三极管；单极型器件只有一种载流子工作，如场效应管。一个是电流控制型器件，一个是电压控制型器件。

双极型晶体管由两个背靠背PN结构成的以获得电压、电流或信号增益的晶体三极管。起源于1948年发明的点接触晶体三极管，50年代初发展成结型三极管即现在所称的双极型晶体管。

双极型晶体管有两种基本结构：PNP型和NPN型。在这3层半导体中，中间一层称基区，外侧两层分别称发射区和集电区。当基区注入少量电流时，在发射区和集电区之间就会形成较大的电流，这就是晶体管的放大效应。

扩展资料：

双极型晶体管的特性：

输入特性曲线：描述了在管压降UCE一定的情况下，基极电流iB与发射结压降uBE之间的关系称为输入伏安特性，可表示为： 硅管的开启电压约为0.7V，锗管的开启电压约为0.3V。

输出特性曲线：描述基极电流IB为一常量时，集电极电流iC与管压降uCE之间的函数关系。可表示为：

双极型晶体管输出特性可分为三个区

截止区：发射结和集电结均为反向偏置。IE@0，IC@0，UCE@EC，管子失去放大能力。如果把三极管当作一个开关，这个状态相当于断开状态。

饱和区：发射结和集电结均为正向偏置。在饱和区IC不受IB的控制，管子失去放大作用，UCE@0，IC=EC/RC，把三极管当作一个开关，这时开关处于闭合状态。

放大区：发射结正偏，集电结反偏。

参考资料来源：百度百科-双极型晶体管

双极型器件的电流是由两种载流子（空穴和电子）同时导电形成的，如二极管、三极管；单极型器件只有一种载流子工作，如场效应管。一个是电流控制型器件，一个是电压控制型器件。

有两种载流子（空穴和电子）导电的器件，如三极管

第一个回答的非常好，我做一个补充哈😀
什么是双极型晶体管？需满足以下三点：
1、有两个PN结构成，一个是发射结，一个是集电结；
2、基区宽度远小于载流子扩散长度；
3、发射结掺杂浓度最高，基区次之，集电区最低。
刚学完半导体器件物理总结归纳出来的，如有表述不妥之处欢迎大家指正，共同进步。