N沟道MOS管（一般源极接地），只要栅源电压Vgs>Vth（通常是0.7V左右），便可在栅极下面的P衬底形成N型沟道，将源极和漏极连在一起，成为导电通道；这时只要在漏极加上电压，便可形成电流，此时电流同时受Vgs和Vds控制；当Vgd＝Vgs－Vds＜Vth时，沟道在漏极夹断，管子进入饱和区，此时电流仅受Vgs控制（忽略沟道长度调制效应）；当漏源电压Vds太大时，会发生源漏穿通，即漏极和源极连在一起，相当于发生了击穿，此时会产生很大的电流。当栅源电压Vgs太大时，也会发生击穿，即栅氧化层被击穿，此时管子失效。
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