内存条後面的CL和C是什麼意思？

CL是CAS Latency的缩写，一般翻译成CAS潜伏时间，是在北桥(Intel)/CPU(AMD最近的CPU)读取内存数据时的一个参数，这个参数对于内存的性能有比较大的影响。
CAS是内存信号中的一个信号，读取内存的具体过程是这样的：有行(RAS#)列(CAS#)两条信号，类似于我们的方格纸的行和列，要读取内存数据时，RAS#信号拉低，内存地址线上的地址就是行地址，相当于我们确定了方格纸上的行，几个时钟周期后CAS#信号拉低，内存地址线上的地址就是列地址，相当于确定了方格纸上的列，这样就能确定读取方格纸上那个格的数据，再过几个时钟周期(CL)，开始读取内存相应地址的数据。
这样说来CL就是CAS#到开始读取内存数据的时钟数，对于同一种时钟速度的内存(比如都是DDR333)，大致CL越小，速度越快，但是对于不同时钟速度的内存(比如DDR333与DDR400)，没有可比性。
可惜不能贴图，不然能很直观的看出来。
数据输出（读）
在选定列地址后，就已经确定了具体的存储单元，剩下的事情就是数据通过数据I/O通道（DQ）输出到内存总线上了。但是在CAS发出之后，仍要经过一定的时间才能有数据输出，从CAS与读取命令发出到第一笔数据输出的这段时间，被定义为CL（CAS Latency，CAS潜伏期）。由于CL只在读取时出现，所以CL又被称为读取潜伏期（RL，Read Latency）。CL的单位与tRCD一样，为时钟周期数，具体耗时由时钟频率决定。
不过，CAS并不是在经过CL周期之后才送达存储单元。实际上CAS与RAS一样是瞬间到达的，但CAS的响应时间要更快一些。为什么呢？假设芯片位宽为n个bit，列数为c，那么一个行地址要选通n×c个存储体，而一个列地址只需选通n个存储体。但存储体中晶体管的反应时间仍会造成数据不可能与CAS在同一上升沿触发，肯定要延后至少一个时钟周期。
CL的数值不能超出芯片的设计规范，否则会导致内存的不稳定，甚至开不了机（超频的玩家应该有体会），而且它也不能在数据读取前临时更改。CL周期在开机初始化过程中的MRS阶段进行设置，在BIOS中一般都允许用户对其调整，然后BIOS控制北桥芯片在开机时通过A4-A6地址线对MR中CL寄存器的信息进行更改

参考资料：Double Data Rate (DDR) SDRAM Specification

你说的应该是内存时序，时序一般是四个参数，都是数字，数字越小性能越好（要结合内存频率看，不然就是耍流氓）；简单点的可以只看最前面的那组数字，ddr3 1333一般是9、ddr4 2666一般是18或19