硅二极管正向导通工作压降=0.6~0.8v,反向击穿电压根据型号不同有很大差别,如:
1N4001=50V、
1N4002=100V、
1N4003=200 V
1N4004 =400
1N4005= 600
1N4006=800v
1N4007=1000v;
锗二极管正向导通工作压降=0.2~0.4v,反向击穿电压很小,一般为40V左右。
稳压二极管,英文名称Zener diode,又叫齐纳二极管。利用pn结反向击穿状态,其电流可在很大范围内变化而电压基本不变的现象,制成的起稳压作用的二极管。此二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件。
在这临界击穿点上,反向电阻降低到一个很小的数值,在这个低阻区中电流增加而电压则保持恒定,稳压二极管是根据击穿电压来分档的,因为这种特性,稳压管主要被作为稳压器或电压基准元件使用。稳压二极管可以串联起来以便在较高的电压上使用,通过串联就可获得更高的稳定电压。
硅二极管正向导通工作压降=0.6~0.8v,反向击穿电压根据型号不同有很大差别,如
1N4001=50V、
1N4002=100V、
1N4003=200 V
1N4004 =400
1N4005= 600
1N4006=800v
1N4007=1000v;
锗二极管正向导通工作压降=0.2~0.4v,反向击穿电压很小,一般为40V左右。